华人胡正明获美国最高技术奖:发明FINFET

据白宫官网报道美国东部时间22日2015年美国最高科技奖获奖名单公布包括9名国家科学奖获得者National Medal of Science和8名国家技术和创新奖National Medal of Technology and Innovation获得者

其中美籍华人科学家胡正明荣获年度国家技术和创新奖

胡正明教授

胡正明教授是鳍式场效晶体管FinFET的发明者如今三星台积电能做到14nm/16nm都依赖这项技术他1947年出生于北京豆芽菜胡同在中国台湾长大后来考入加州大学伯克利分校

在华为海思麒麟950的发布会上胡正明教授曾现身VCR据他介绍FinFET的两个突破一是把晶体做薄后解决了漏电问题二是向上发展晶片内构从水平变成垂直

胡认为FinFET的真正影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制这项技术现在仍看不到极限

2010年后Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头胡教授的FinFET和FD-SOI工艺发明得以使摩尔定律在今天延续传奇