嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

导读 在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能此时三极管可作为开关器件来使用作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件此时三极管处于饱和状态

开关器件

在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能此时三极管可作为开关器件来使用作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件此时三极管处于饱和状态现举一例来说明该类电路特点

嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

为仿真电路图不是很完整该电路为晶振关闭功能电路其中VO接MCU晶振输入端如XIN

若Q1和Q3基极同时为低时Q2导通而使得VO为0造成晶振停振关闭处理器我们分析R3和R4实际电路470K使得Q2和Q3处于饱和态;Q3为Q1集电极负载调整R5阻值时可控制Q1处于饱和态或放大态要使Q2基极导通必须使Q1提供足够大电流才满足条件只有Q1处于放大态才满足条件;
功率器件

在嵌入式电路设计中很少使用到功率放大电路昨天将大学模电教材晶体管内容通读后有所感悟虽然当时模电自认为学的不错但重读之后才发现当时只是死记硬背而没有真正领悟

静态工作点不但决定是否会失真而且还影响电压放大倍数输入电阻等动态参数然而在实际电路中由于环境温度的变化而使得静态工作点补稳定从而使得动态参数不稳定更严重可能造成电路不能正常工作;在所有环境因素中温度对动态参数的影响是最大的

当温度升高时晶体管放大倍数变大且ICE明显变大以共射极电路为例当温度升高时将使Q点向饱和区域移动;当温度降低时将使Q点向截止区域移动