IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
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FF100R12KS4
技术参数
• IcA,Tc=80℃ 100
• Vcesat,MaxV 3.7
• Tonus 0.11
• Toffus 0.55
• Rthj-c,K/W 0.16
• PcW 780
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
性能概要
•高短路能力
•自我限制短路电流
•低开关损耗
•无可比拟的耐用性
•V CESAT具有正温度系数
•CTI>400
优点
• 灵活性
• 最佳的电气性能
• 最高的可靠性
目标应用
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源(UPS)
• 商业农业和工程车辆(CAV)
• 感应加热
• 工业焊接