IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
武汉科琪电子有限公司
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FZ900R12KE4
技术参数
• IcA,Tc=80℃ 900
• Vcesat,MaxV 2.1
• Tonus 0.26
• Toffus 0.66
• Rthj-c,K/W 0.035
• PcW 4300
• 封装 62mm
• 电路结构 一单元
性能概要
• 低开关损耗
• 无可比拟的耐用性
• V(CESAT)具有正温度系数
• 低V(CESAT)
• 4KV AC 1分钟绝缘
• CTI>400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率密度
• 隔离底板
• 标准封装
优点
• 灵活性
• 最佳的电气性能
• 最高的可靠性
目标应用
• 电机控制和驱动
• 风能系统解决方案
高能效组件和子系统的系统的高可靠性
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源(UPS)
• 工业焊接
• 感应加热
• 商业农业和工程车辆(CAV)